Компания DapuStor, по сообщению ресурса Blocks & Files, представила новую двухрежимную конфигурацию для своих SSD серии J5060, ориентированных на дата-центры. Предложенная архитектура позволяет совместить преимущества изделий QLC и SLC.

Накопители на основе чипов флеш-памяти SLC (один бит информации в ячейке) обеспечивают надёжность (большое количество циклов перезаписи — от 50 тыс. до 100 тыс.), высокую скорость и минимальный риск ошибок. Однако такие решения имеют относительно небольшую ёмкость и значительную стоимость. В свою очередь, устройства QLC (четыре бита информации в ячейке) предлагают большую вместимость и существенную скорость чтения, но требуют применения сложных алгоритмов коррекции ошибок и обладают небольшим ресурсом (выдерживают от 500 до 1000 циклов перезаписи).

Источник изображения: DapuStor

DapuStor предлагает выделять в структуре накопителей J5060 часть QLC-памяти под зону pseudo-SLC (pSLC). Эта секция показывает среднюю задержку при записи менее 8 мкс, что находится на одном уровне с показателями полноценных SLC-устройств, таких как Kioxia FL6. Сегмент pSLC хорошо подходит для журналов баз данных, кеша метаданных и пр.

В качестве примера приводится SSD на 30,72 Тбайт: для него технология DapuStor позволяет выделить под pSLC-зону 400 Гбайт, 800 Гбайт или 1,2 Тбайт пространства, пожертвовав при этом в четыре-пять раз большей ёмкостью QLC. То есть в зависимости от конфигурации под нужды pSLC перераспределяется от 6 % до 20 % ёмкости QLC. Все настройки выполняются на программном уровне.

По оценкам DapuStor, двухрежимный SSD обеспечивает как минимум в 7 раз более высокую производительность при случайной записи (показатель IOPS) по сравнению с накопителями, использующими исключительно QLC-память. При этом область pSLC выдерживает в 25 раз больше циклов записи по сравнению с QLC, что продлевает срок службы устройств хранения в целом. В случае систем с большим количеством SSD наличие зоны pSLC позволяет эффективно перераспределять нагрузки, одновременно повышая надёжность. DapuStor указывает, что её решение хорошо подходит для задач ИИ, требующих высокой пропускной способности и низкой задержки при значительном объёме хранимых данных.

Компания Unigen анонсировала SSD серий Cheetah Storage Class Memory (SCM) и Cheetah High Capacity (HC). Устройства первого семейства рассчитаны на ИИ-нагрузки, которым требуются минимальные задержки при доступе к данным, второго — на хранение обширных массивов информации, например, при обучении больших языковых моделей (LLM).

Изделия Cheetah SCM будут предлагаться в исполнениях E1.L, E3.S, E1.S и U.2. Применяются чипы флеш-памяти pSLC/eTLC NAND, а для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0). Вместимость составляет 1,6 и 3,2 Тбайт. Скорость последовательного чтения достигает 14 700 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 11 100 Мбайт/с. Величина IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при произвольном чтении блоками по 4 Кбайт — до 3,37 млн, при произвольной записи — до 1,01 млн. Накопители выдерживают до 60 полных перезаписей в сутки (показатель DWPD) при произвольных нагрузках и до 80 перезаписей при последовательны операциях.

Источник изображений: Unigen

В свою очередь, устройства Cheetah HC доступны в форм-факторах E1.L и U.2. Предусмотрены модификации с чипами флеш-памяти QLC NAND и TLC NAND. Задействован интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0). В серию входят варианты ёмкостью 16, 32, 64 и 128 Тбайт. Скорость последовательного чтения составляет до 14,17 Гбайт/с, скорость последовательной записи — до 2,355 Гбайт/с. Показатель IOPS — до 836 тыс. при произвольном чтении и до 36,8 тыс. при произвольной записи. Значение DWPD при произвольных нагрузках находится на отметке 0,3, при последовательных — 1,8.

Все накопители имеют 16 каналов NAND и поддерживают интерфейс DDR5. Средняя наработка на отказ (MTTF) указана на уровне 2 млн часов. Диапазон рабочих температур простирается от 0 до +70 °C. Реализованы средства безопасности TCG Opal и Secure Boot, сквозная защита данных (End-to-End Data Protection), а также функция защиты от потери питания (Power Loss Protection). Массовое производство новых SSD уже началось.

Тайваньская компания Macronix в сотрудничестве с исследовательским центром IBM разработала так называемые двухуровневые SSD (Dual-Tier SSD), передаёт Blocks & Files. Идея заключается в том, что в одном устройстве объединяются высокопроизводительный слой на основе флеш-чипов SLC NAND и слой большой ёмкости на базе TLC NAND.

Система рассматривает каждый из уровней в составе Dual-Tier SSD в качестве отдельного NVMe-накопителя. За перераспределение данных между слоями отвечает специальное ПО. Так, наиболее часто используемая информация помещается в SLC-раздел, который обеспечивает высокие скорости записи и чтения, но имеет сравнительно небольшую вместимость. В свою очередь, «холодные» и «теплые» данные могут храниться в менее производительном, но более ёмком TLC-разделе.

Источник изображения: Blocks & Files

Благодаря гибкому управлению на основе собираемой статистики и анализа текущих нагрузок в Dual-Tier SSD достигается оптимальный баланс между производительностью, надёжностью и сроком службы чипов NAND. Кроме того, может осуществляться параллельное взаимодействие с разными слоями накопителя.

Рассматривается также возможность динамического перераспределения ёмкости между разными уровнями хранения в Dual-Tier SSD. В этом случае в зависимости от текущей нагрузки часть ёмкости TLC NAND может быть использована в режиме pseudo-SLC (pSLC) — такой подход уже применяется во множестве накопителей. Это даст дополнительную гибкость при работе с высоконагруженными приложениями — например, в области ИИ и НРС. Предполагается, что Dual-Tier SSD смогут заменить связку из традиционных HDD и SSD в платформах хранения IBM Storage Scale System.

Компания Kioxia анонсировала SSD семейства GP1, спроектированные с прицелом на ИИ-системы. Новинки будут предлагаться в различных вариантах исполнения, включая E3.S и E1.S с толщиной корпуса 9,5 и 15 мм. Устройства используют флеш-память Kioxia XL-Flash второго поколения с низкой задержкой и улучшенной производительностью. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 6.0 (NVMe 2.2). Накопители, как утверждается, выдерживают до 50 полных перезаписей в сутки (значение DWPD).

Изделия GP1 стали первыми продуктами серии Super High IOPS SSD. Их особенностью является то, что графический ускоритель в составе системы может получать прямой доступ к SSD. Таким образом, флеш-память используется для расширения встроенной памяти HBM. В результате, улучшается быстродействие на операциях ИИ и повышается эффективность использования имеющихся вычислительных ресурсов.

«Устройства Kioxia GP1 — это прорывной продукт, который позволит создать новую, передовую топологию памяти для ИИ-систем», — отмечает Невилл Ичхапория (Neville Ichhaporia), старший вице-президент и генеральный директор подразделения твердотельных накопителей Kioxia America.

Источник изображения: Kioxia

Решения GP1 обеспечивают показатель IOPS (количество операций ввода-вывода в секунду) до 10 млн при произвольном чтении данных блоками по 512 байт. Более того, применённая в устройствах архитектура предусматривает возможность повышения значения до 100 млн IOPS в будущих поколениях SSD.

Новые накопители будут предлагаться в вариантах с воздушным и жидкостным (только у версий толщиной 9,5 мм) охлаждением. Вместимость и прочие технические характеристики пока не раскрываются. Поставки опытных образцов отдельным заказчикам будут организованы к концу текущего года.

В связи с продолжающимся усовершенствованием ИИ-серверов и коммутаторов объём NOR-памяти на одну единицу такой продукции, как ожидают аналитики DigiTimes, вырастет в несколько раз на фоне прогнозируемого дефицита высокопроизводительных компонентов.

Согласно прогнозу DigiTimes, во II квартале 2026 года цены на NOR Flash вырастут последовательно на 40–50 %, причем по некоторым позициям клиенты будут готовы платить надбавки, чтобы гарантировать поставки в рамках контрактов. Что касается памяти SLC NAND и MLC NAND, то здесь ожидается ещё более значительный рост цен — на 400–500 % во II квартале в годовом исчислении, что побудит тайваньского производителя Winbond Electronics ускорить расширение мощностей по производству SLC NAND. Winbond выпускает NOR-память для ИИ-серверов и сетевых приложений с использованием 58-нм техпроцесса, в то время как память для носимых устройств, таких как Bluetooth-гарнитуры, производится по 45-нм техпроцессу.

DigiTimes отметил, что более сложный дизайн NVIDIA GB300 по сравнению с GB200 с большим объёмом памяти и более высокими требованиями к её спецификациям обусловил рост спроса на модули NOR ёмкостью 512 Мбайт и 1 Гбайт. Но запасы модули NOR-памяти большой ёмкости остаются относительно ограниченными. По данным источников, цены на NOR-флеш выросли в I квартале 2026 года примерно на 30 %, а на некоторые позиции — на 50 %. Хотя масштабы повышения цен менее значительны, чем в категории DDR4, предложение NOR остаётся ограниченным, и ожидается, что контрактные цены неё во II квартале вырастут ещё на 40–50 %, а сроки поставки специальных вариантов увеличатся до 12–14 недель.

Источник изображения: Winbond

Тайваньский производитель Macronix тоже утверждает, что продолжающийся рост выпуска серверов для ИИ-нагрузок создаёт структурную напряжённость на рынке NOR, которую будет сложно преодолеть в краткосрочной перспективе. Уход крупных производителей NAND-памяти с рынков SLC NAND и MLC NAND ещё больше подстегнул дефицит и позволил Winbond и Macronix выступать на рынке в качестве основных поставщиков. Цены Macronix на MLC eMMC недавно выросли вдвое по сравнению с декабрём 2025 года. Несмотря на авансовые платежи, внесённые ранее в этом году, клиентам не обеспечили поставки до китайского Нового года, что сделало эту продукцию крайне дефицитной на нишевых рынках, пишет DigiTimes.

Доля в выручке Macronix от памяти NAND (включая eMMC) выросла до 21 %, более чем вдвое превысив уровень прошлого года. Контрактные цены Winbond на память SLC NAND во II квартале 2026 года, как ожидается, резко вырастут по сравнению с аналогичным периодом 2025 года — до 400–500 %. Цены Winbond на SLC NAND в I квартале выросли больше всего в её портфолио, превысив рост цен на DDR4.

Компания планирует расширение своих мощностей по производству памяти. В частности, будут запущены производственные линии по выпуску DRAM на заводе в Гаосюне (Gāoxióng). Сообщается, что мощность завода компании в Тайчжуне (Táizhōng) составляет примерно 58 тыс. пластин в месяц, включая приблизительно 25 тыс. пластин для NOR, 15 тыс. пластин для NAND и 10 тыс. пластин для DRAM. Ожидается значительное увеличение общего объёма производства до примерно 50 тыс. пластин памяти NOR и SLC NAND с более высокой рентабельностью.

Источник изображения: Macronix

Согласно данным Winbond, на SLC NAND, производимую по 46-нм и 32-нм техпроцессам, приходится около 15–25 % выручки. Её доля в выручке компании будет расти по мере роста цен, что приведет к сокращению мощностей, выделенных на производство DRAM по устаревшим техпроцессам. Цены на флеш-память, изготовленную по традиционным технологиям, стремительно растут, а спрос на NOR-память большой ёмкости увеличился в несколько раз.

По данным источников DigiTimes, Winbond, увеличившая объёмы поставок, недавно завершила согласование цен по контрактам на I квартал 2026 года. Ожидается, что рост цен на DRAM, начавшийся в IV квартале 2025 года, продолжится и во II квартале 2026 года, что ознаменует собой третий подряд квартал роста и фактически удвоение контрактных цен в годовом исчислении. Также сообщается, что новые производственные мощности Winbond, запланированные к вводу в эксплуатацию в 2027 году, уже полностью забронированы.

Глава Winbond сообщил о резко увеличившемся количестве запросов от клиентов, что создало дефицит предложения и затрудняет удовлетворение всех их потребностей. Помимо прямых клиентов первого уровня, владельцы брендов второго уровня и операторы третьего уровня всё чаще обходят посредников и ведут переговоры напрямую с Winbond, что отражает высокий рыночный спрос, отметил DigiTimes.

Компания InnoGrit официально представила SSD семейства N3X для ИИ-платформ и периферийных вычислений. Устройства, обладающие повышенной надёжностью, доступны в вариантах вместимостью 800 Гбайт, а также 1,6 и 3,2 Тбайт.

О подготовке накопителей InnoGrit-N3X сообщалось в конце мая текущего года. Тогда говорилось, что устройства оснащены контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и чипами памяти Kioxia XL-Flash второго поколения, функционирующими в режиме SLC. Применяется интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0).

По новой информации, задействован контроллер InnoGrit IG5668. Изделия обладают сверхнизкой задержкой: 13 мкс при чтении и 4 мкс при записи. Показатель при чтении, как утверждается, на 75 % ниже по сравнению со стандартными твердотельными накопителями с интерфейсом PCIe 5.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 1,6 млн при произвольной записи блоков данных по 4 Кбайт — это примерно в четыре раза выше, чем у типичных решений PCIe 5.0 для ЦОД.

Источник изображения: InnoGrit

SSD серии InnoGrit-N3X способны выдерживать до 100 полных перезаписей в сутки (100 DWPD): благодаря этому они подходят для использования в составе систем с высокой интенсивностью обмена данными. Реализованы средства сквозной защиты информации и шифрование по алгоритму AES-256. Функция Power Loss Protection (PLP) отвечает за сохранность данных при внезапном отключении питания. Устройства выпускаются в двух форм-факторах — U.2 и E1.S.

Компания Samsung Electronics возрождает технологию памяти Z-NAND после семилетнего перерыва, позиционируя её как высокопроизводительное решение для ИИ-нагрузок. По данным DigiTimes, следующее поколение памяти Z-NAND получит 15-кратное увеличение производительности по сравнению с современными NVMe SSD и даст ускорителю возможность напрямую обращаться к накопителю Z-NAND с минимальными задержками.

Как пишет Tom's Hardware, исполнительный вице-президент Samsung по производству памяти сообщил, что при значительном росте производительности с помощью технологии Z-NAND энергопотребление накопителей будет на 80 % ниже по сравнению с традиционной флеш-памятью NAND. Кроме того, в новом поколении упор сделан на минимизацию задержек. Для этого Samsung внедряет новую технологию GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS), которая позволит ускорителям напрямую обращаться к устройствам хранения Z-NAND, минуя CPU и RAM, тем самым значительно сокращая время доступа.

Samsung представила технологию Z-NAND в 2016 году в качестве альтернативы памяти Intel 3D XPoint (Optane). Вышедший в 2018 году твердотельный накопитель Samsung 983 ZET на базе 64-слойной SLC 3D V-NAND предлагал значительно более низкую задержку и высокие скорости в сравнении с обычными NVMe SSD. По производительности он вплотную приблизился к Intel Optane SSD 900P. Обе технологии фактически относятся к SCM (Storage Class Memory), хотя только Intel предлагала PMem-модули в виде DIMM. Однако в итоге разработку 3D XPoint последняя (вместе с Micron) забросила, да и Samsung, ответив выпуском Z-SSD на появление Optane, решила свою технологию не развивать.

Примерно в то же время Kioxia (тогда ещё Toshiba) представила свой вариант сверхбыстрой SLC NAND — XL-Flash. Её она тоже довольно долго особенно не развивала, но планирует уже в следующем году представить XL-Flash SSD с переработанным контроллером, который обеспечит более 10 млн IOPS, особенно на небольших транзакциях. Для точной настройки SSD с целью повышения производительности при запуске ресурсоёмких ИИ-приложений компания сотрудничает с ведущими производителями ускорителей. Phison также предлагает eSLC-накопители PASCARI с технологией aiDAPTIV+. SLC-накопители также есть у Solidigm и Micron.

Впрочем, широкая востребованность Z-SSD может оказаться под вопросом. Уже анонсированы быстрые SSD с интерфейсом PCIe 6.0. CXL же позволяет относительно недорого наращивать объём памяти, хотя и в ущерб задержкам. Так что Samsung придётся сделать новые Z-SSD не только быстрыми, но и экономически эффективными.

Kioxia представила стратегию развития SSD в среднесрочной и долгосрочной перспективе с акцентом на инновации, направленные на повышение производительности и ёмкости хранилища. Одним из ключевых проектов Kioxia назвала создание SSD с использованием SLC-памяти XL-FLASH в сочетании с переработанным контроллером. Ожидается, что эта комбинация обеспечит более 10 млн IOPS, особенно для небольших транзакций данных. Образцы продвинутых SSD увидят свет ко II половине 2026 года.

Kioxia сообщила, что тесно сотрудничает с основными производителями GPU для точной настройки SSD с целью повышения производительности в приложениях с интенсивным использованием ИИ и графики. Выпускаемые сейчас компанией SSD построены на чипах 3D NAND BiCS FLASH TLC 8-го поколения с использованием технологии CBA (CMOS directly Bonded to Array), обеспечивающей повышение энергоэффективности, производительности, плотности и стабильности по сравнению с решениями предыдущего поколения.

Источник изображений: Kioxia

Семейство SSD корпоративного класса CM9 нацелено на ИИ-системы, которым требуется как высокая скорость, так и высочайшая надёжность, чтобы максимально использовать дорогостоящее оборудование с ИИ-ускорителями. В свою очередь, семейство накопителей LC9 предлагает большую ёмкость, достигающую 122 Тбайт, для поддержания нагрузок, связанных с крупномасштабными базами данных для систем ИИ-инференса. Также чипы BiCS FLASH TLC 8-го поколения используются в смартфонах. Kioxia отметила, что в настоящее время увеличивает производство линейки продуктов BiCS FLASH 8-го поколения.

Компания сообщила, что использует два подхода при разработке флеш-памяти. Один из них основан на традиционном методе увеличения количества слоев для создания более высокой ёмкости и производительности в таком продукте, как BiCS FLASH 10-го поколения. А при разработке флеш-памяти BiCS FLASH 9-го поколения компания использует преимущества технологии CBA, объединяя проверенные конструкции ячеек с передовой технологией CMOS.

В целом, стратегия Kioxia направлена как на постепенное усовершенствование SSD, так и на инновации в архитектуре для удовлетворения меняющихся потребностей рынка в сфере ИИ и хранлищ. Так, для QLC-памяти компания ставит целью вытеснение Nearline HDD путём уменьшения стоимости SSD.

Компания InnoGrit, по сообщению ресурса Tom's Hardware, анонсировала твердотельные накопители N3X, которые будут предлагаться в форм-факторах U.2 и E3.S. Устройства рассматриваются в качестве альтернативы изделиям Intel Optane, производство которых было прекращено.

SSD серии InnoGrit N3X используют контроллер InnoGrit Tacoma IG5669 и чипы памяти Kioxia XL-Flash второго поколения, функционирующие в режиме SLC. Задействован интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0). Названный контроллер построен на архитектуре RISC-V, а при его производстве применяется 12-нм технология TSMC FinFET.

Утверждается, что новые накопители обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 14 000 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 12 000 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) достигает 3,5 млн при произвольном чтении и 700 тыс. при произвольной записи.

Одной из особенностей решений N3X являются небольшие задержки. При чтении этот показатель составляет менее 13 мкс, тогда как у обычных накопителей на основе памяти 3D TLC NAND величина варьируется от 50 до 100 мкс. Задержка при записи находится на уровне 4 мкс против 200–400 мкс для 3D TLC NAND. Таким образом, представленные устройства подходят для кеширования, ИИ-инференса, in-memory систем, аналитики в реальном времени и других задач, где задержка имеет критическое значение.

Источник изображения: InnoGrit

Ещё одним преимуществом устройств N3X является высочайшая долговечность. Накопители способны выдерживать до 50 полных перезаписей в сутки (DWPD) на протяжении пяти лет. Это значительно выше средних показателей корпоративных SSD на базе флеш-памяти NAND. Отмечается, что новинки отлично подходят для задач с интенсивными операциями записи, таких как транзакционные рабочие нагрузки и инференс.

Источник изображения: Tom's Hardware / Future

Накопители будут выпускаться в модификациях вместимостью 400 и 800 Гбайт, а также 1,6 и 3,2 Тбайт. Упомянута поддержка шифрования AES-256. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 292 тыс. Тбайт.

Современные твердотельные накопители хороши всем, но сами принципы, на которых строится NAND-память, наделяют их конечным ресурсом перезаписи, что в некоторых сценариях весьма критично. Специально для таких сценариев предназначен новый SSD Solidigm D7-P5810, анонсированный буквально на днях.

Большая часть современных SSD использует многослойную память 3D TLC NAND, а в погоне за ёмкостью и плотностью упаковки данных практическими всеми производителями NAND-устройств и самих SSD активно осваиваются технологии QLC и PLC, с четырьмя и пятью битами на ячейку, соответственно.

Но это означает пониженный ресурс записи и для использования в качестве устройств strorage class memory (SCM) такие SSD подходят не лучшим образом. Новый Solidigm D7-P5810, однако, использует 144-слойную память 3D NAND в режиме SLC, с одним битом на ячейку. За исключением экзотических технологий, вроде MRAM или почившего в бозе Optane это самый надёжный на сегодня вариант энергонезависимой памяти.

Источник изображений здесь и далее: Solidigm

Именно использование SLC-памяти позволяет компании-производителю заявлять для P5810 общий ресурс записи в 73 Пбайт и 50 полных перезаписей в день в течение пятилетнего гарантийного срока. Наработка на отказ заявлена на уровне 2 млн часов, а показатель UBER не превышает 1 сектор на 10¹⁷ бит. Ёмкость при этом не слишком высока, что характерно для всех SLC-устройств: новинка представлена в вариантах 800 Гбайт и 1,6 Тбайт (появится в первой половине 2024 года).

Solidigm D7-P5810 использует форм-фактор U.2 с интерфейсом NVMe (PCI Express 4.0 x4), что позволяет ему развивать линейные скорости 6400 и 4000 Мбайт/с при чтении и записи соответственно. На случайных операциях при максимальной глубине запроса накопитель обеспечивает 865 тысяч IOPS при чтении и 495 тысяч IOPS при записи. Латентность при этом находится в пределах 10–15 мкс, при случайном чтении она не превышает 53 мкс.

Solidigm D7-P5810 в сравнении с соперниками. Конкурент A — Micron XTR, конкурент B — Kioxia FL6. Источник: Solidigm

Устройство достаточно экономично: в активном состоянии новый SSD потребляет не более 12 Вт, а в режиме простоя — не более 5 Вт. В качестве сценариев использования Solidigm называет кеширование в системах на базе QLC NAND, также он отлично подойдет для HPC-систем или систем сбора данных и логов.

Правда, новый накопитель не уникален: на рынке ему придётся конкурировать с Kioxia FL6 или Micron XTR, также использующими SLC 3D NAND. Оба конкурента имеют варианты с большей ёмкостью (3,2 Тбайт у Kioxia, 1,92 Тбайт у Micron), но заметно уступают Solidigm D7-P5810 в производительности на случайных операциях записи.