Материалы по тегу: slc nand
12.08.2025 [11:39], Сергей Карасёв
InnoGrit выпустила SSD N3X со сверхнизкой задержкой для ИИ-системКомпания InnoGrit официально представила SSD семейства N3X для ИИ-платформ и периферийных вычислений. Устройства, обладающие повышенной надёжностью, доступны в вариантах вместимостью 800 Гбайт, а также 1,6 и 3,2 Тбайт. О подготовке накопителей InnoGrit-N3X сообщалось в конце мая текущего года. Тогда говорилось, что устройства оснащены контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и чипами памяти Kioxia XL-Flash второго поколения, функционирующими в режиме SLC. Применяется интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0). По новой информации, задействован контроллер InnoGrit IG5668. Изделия обладают сверхнизкой задержкой: 13 мкс при чтении и 4 мкс при записи. Показатель при чтении, как утверждается, на 75 % ниже по сравнению со стандартными твердотельными накопителями с интерфейсом PCIe 5.0. Заявленная скорость последовательного чтения достигает 14 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 12 Гбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 1,6 млн при произвольной записи блоков данных по 4 Кбайт — это примерно в четыре раза выше, чем у типичных решений PCIe 5.0 для ЦОД. ![]() Источник изображения: InnoGrit SSD серии InnoGrit-N3X способны выдерживать до 100 полных перезаписей в сутки (100 DWPD): благодаря этому они подходят для использования в составе систем с высокой интенсивностью обмена данными. Реализованы средства сквозной защиты информации и шифрование по алгоритму AES-256. Функция Power Loss Protection (PLP) отвечает за сохранность данных при внезапном отключении питания. Устройства выпускаются в двух форм-факторах — U.2 и E1.S.
10.08.2025 [00:10], Владимир Мироненко
Samsung решила возродить сверхбыстрые SSD с памятью Z-NANDКомпания Samsung Electronics возрождает технологию памяти Z-NAND после семилетнего перерыва, позиционируя её как высокопроизводительное решение для ИИ-нагрузок. По данным DigiTimes, следующее поколение памяти Z-NAND получит 15-кратное увеличение производительности по сравнению с современными NVMe SSD и даст ускорителю возможность напрямую обращаться к накопителю Z-NAND с минимальными задержками. Как пишет Tom's Hardware, исполнительный вице-президент Samsung по производству памяти сообщил, что при значительном росте производительности с помощью технологии Z-NAND энергопотребление накопителей будет на 80 % ниже по сравнению с традиционной флеш-памятью NAND. Кроме того, в новом поколении упор сделан на минимизацию задержек. Для этого Samsung внедряет новую технологию GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS), которая позволит ускорителям напрямую обращаться к устройствам хранения Z-NAND, минуя CPU и RAM, тем самым значительно сокращая время доступа. Samsung представила технологию Z-NAND в 2016 году в качестве альтернативы памяти Intel 3D XPoint (Optane). Вышедший в 2018 году твердотельный накопитель Samsung 983 ZET на базе 64-слойной SLC 3D V-NAND предлагал значительно более низкую задержку и высокие скорости в сравнении с обычными NVMe SSD. По производительности он вплотную приблизился к Intel Optane SSD 900P. Обе технологии фактически относятся к SCM (Storage Class Memory), хотя только Intel предлагала PMem-модули в виде DIMM. Однако в итоге разработку 3D XPoint последняя (вместе с Micron) забросила, да и Samsung, ответив выпуском Z-SSD на появление Optane, решила свою технологию не развивать. Примерно в то же время Kioxia (тогда ещё Toshiba) представила свой вариант сверхбыстрой SLC NAND — XL-Flash. Её она тоже довольно долго особенно не развивала, но планирует уже в следующем году представить XL-Flash SSD с переработанным контроллером, который обеспечит более 10 млн IOPS, особенно на небольших транзакциях. Для точной настройки SSD с целью повышения производительности при запуске ресурсоёмких ИИ-приложений компания сотрудничает с ведущими производителями ускорителей. Phison также предлагает eSLC-накопители PASCARI с технологией aiDAPTIV+. SLC-накопители также есть у Solidigm и Micron. Впрочем, широкая востребованность Z-SSD может оказаться под вопросом. Уже анонсированы быстрые SSD с интерфейсом PCIe 6.0. CXL же позволяет относительно недорого наращивать объём памяти, хотя и в ущерб задержкам. Так что Samsung придётся сделать новые Z-SSD не только быстрыми, но и экономически эффективными.
09.06.2025 [15:06], Владимир Мироненко
Kioxia готовит новое поколение XL-FLASH SSD с поддержкой 10 млн IOPSKioxia представила стратегию развития SSD в среднесрочной и долгосрочной перспективе с акцентом на инновации, направленные на повышение производительности и ёмкости хранилища. Одним из ключевых проектов Kioxia назвала создание SSD с использованием SLC-памяти XL-FLASH в сочетании с переработанным контроллером. Ожидается, что эта комбинация обеспечит более 10 млн IOPS, особенно для небольших транзакций данных. Образцы продвинутых SSD увидят свет ко II половине 2026 года. Kioxia сообщила, что тесно сотрудничает с основными производителями GPU для точной настройки SSD с целью повышения производительности в приложениях с интенсивным использованием ИИ и графики. Выпускаемые сейчас компанией SSD построены на чипах 3D NAND BiCS FLASH TLC 8-го поколения с использованием технологии CBA (CMOS directly Bonded to Array), обеспечивающей повышение энергоэффективности, производительности, плотности и стабильности по сравнению с решениями предыдущего поколения. Семейство SSD корпоративного класса CM9 нацелено на ИИ-системы, которым требуется как высокая скорость, так и высочайшая надёжность, чтобы максимально использовать дорогостоящее оборудование с ИИ-ускорителями. В свою очередь, семейство накопителей LC9 предлагает большую ёмкость, достигающую 122 Тбайт, для поддержания нагрузок, связанных с крупномасштабными базами данных для систем ИИ-инференса. Также чипы BiCS FLASH TLC 8-го поколения используются в смартфонах. Kioxia отметила, что в настоящее время увеличивает производство линейки продуктов BiCS FLASH 8-го поколения. Компания сообщила, что использует два подхода при разработке флеш-памяти. Один из них основан на традиционном методе увеличения количества слоев для создания более высокой ёмкости и производительности в таком продукте, как BiCS FLASH 10-го поколения. А при разработке флеш-памяти BiCS FLASH 9-го поколения компания использует преимущества технологии CBA, объединяя проверенные конструкции ячеек с передовой технологией CMOS. В целом, стратегия Kioxia направлена как на постепенное усовершенствование SSD, так и на инновации в архитектуре для удовлетворения меняющихся потребностей рынка в сфере ИИ и хранлищ. Так, для QLC-памяти компания ставит целью вытеснение Nearline HDD путём уменьшения стоимости SSD.
31.05.2025 [12:17], Сергей Карасёв
InnoGrit представила SSD серии N3X — альтернативу Intel Optane с показателем IOPS до 3,5 млнКомпания InnoGrit, по сообщению ресурса Tom's Hardware, анонсировала твердотельные накопители N3X, которые будут предлагаться в форм-факторах U.2 и E3.S. Устройства рассматриваются в качестве альтернативы изделиям Intel Optane, производство которых было прекращено. SSD серии InnoGrit N3X используют контроллер InnoGrit Tacoma IG5669 и чипы памяти Kioxia XL-Flash второго поколения, функционирующие в режиме SLC. Задействован интерфейс PCIe 5.0 x4 (NVMe 2.0). Названный контроллер построен на архитектуре RISC-V, а при его производстве применяется 12-нм технология TSMC FinFET. Утверждается, что новые накопители обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 14 000 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 12 000 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) достигает 3,5 млн при произвольном чтении и 700 тыс. при произвольной записи. Одной из особенностей решений N3X являются небольшие задержки. При чтении этот показатель составляет менее 13 мкс, тогда как у обычных накопителей на основе памяти 3D TLC NAND величина варьируется от 50 до 100 мкс. Задержка при записи находится на уровне 4 мкс против 200–400 мкс для 3D TLC NAND. Таким образом, представленные устройства подходят для кеширования, ИИ-инференса, in-memory систем, аналитики в реальном времени и других задач, где задержка имеет критическое значение. Ещё одним преимуществом устройств N3X является высочайшая долговечность. Накопители способны выдерживать до 50 полных перезаписей в сутки (DWPD) на протяжении пяти лет. Это значительно выше средних показателей корпоративных SSD на базе флеш-памяти NAND. Отмечается, что новинки отлично подходят для задач с интенсивными операциями записи, таких как транзакционные рабочие нагрузки и инференс. ![]() Источник изображения: Tom's Hardware / Future Накопители будут выпускаться в модификациях вместимостью 400 и 800 Гбайт, а также 1,6 и 3,2 Тбайт. Упомянута поддержка шифрования AES-256. Гарантированный объём записанной информации (показатель TBW) достигает 292 тыс. Тбайт.
23.09.2023 [22:13], Алексей Степин
Solidigm представила SSD P5810 на памяти SLC для нагрузок с активной записью данныхСовременные твердотельные накопители хороши всем, но сами принципы, на которых строится NAND-память, наделяют их конечным ресурсом перезаписи, что в некоторых сценариях весьма критично. Специально для таких сценариев предназначен новый SSD Solidigm D7-P5810, анонсированный буквально на днях. Большая часть современных SSD использует многослойную память 3D TLC NAND, а в погоне за ёмкостью и плотностью упаковки данных практическими всеми производителями NAND-устройств и самих SSD активно осваиваются технологии QLC и PLC, с четырьмя и пятью битами на ячейку, соответственно. Но это означает пониженный ресурс записи и для использования в качестве устройств strorage class memory (SCM) такие SSD подходят не лучшим образом. Новый Solidigm D7-P5810, однако, использует 144-слойную память 3D NAND в режиме SLC, с одним битом на ячейку. За исключением экзотических технологий, вроде MRAM или почившего в бозе Optane это самый надёжный на сегодня вариант энергонезависимой памяти. ![]() Источник изображений здесь и далее: Solidigm Именно использование SLC-памяти позволяет компании-производителю заявлять для P5810 общий ресурс записи в 73 Пбайт и 50 полных перезаписей в день в течение пятилетнего гарантийного срока. Наработка на отказ заявлена на уровне 2 млн часов, а показатель UBER не превышает 1 сектор на 1017 бит. Ёмкость при этом не слишком высока, что характерно для всех SLC-устройств: новинка представлена в вариантах 800 Гбайт и 1,6 Тбайт (появится в первой половине 2024 года). Solidigm D7-P5810 использует форм-фактор U.2 с интерфейсом NVMe (PCI Express 4.0 x4), что позволяет ему развивать линейные скорости 6400 и 4000 Мбайт/с при чтении и записи соответственно. На случайных операциях при максимальной глубине запроса накопитель обеспечивает 865 тысяч IOPS при чтении и 495 тысяч IOPS при записи. Латентность при этом находится в пределах 10–15 мкс, при случайном чтении она не превышает 53 мкс. ![]() Solidigm D7-P5810 в сравнении с соперниками. Конкурент A — Micron XTR, конкурент B — Kioxia FL6. Источник: Solidigm Устройство достаточно экономично: в активном состоянии новый SSD потребляет не более 12 Вт, а в режиме простоя — не более 5 Вт. В качестве сценариев использования Solidigm называет кеширование в системах на базе QLC NAND, также он отлично подойдет для HPC-систем или систем сбора данных и логов. Правда, новый накопитель не уникален: на рынке ему придётся конкурировать с Kioxia FL6 или Micron XTR, также использующими SLC 3D NAND. Оба конкурента имеют варианты с большей ёмкостью (3,2 Тбайт у Kioxia, 1,92 Тбайт у Micron), но заметно уступают Solidigm D7-P5810 в производительности на случайных операциях записи.
17.05.2023 [09:22], Сергей Карасёв
Micron представила быстрые и надёжные SSD серий 6500 ION и XTR для дата-центровКомпания Micron Technology анонсировала SSD семейств 6500 ION и XTR, предназначенные для применения в ЦОД. Изделия используют для обмена данными интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 2.0), благодаря чему достигаются высокие скоростные показатели. При этом решения серии XTR отличаются улучшенной долговечностью. Накопители Micron 6500 ION выполнены на основе чипов памяти TLC NAND (Micron 232L Performance TLC). Разработчик утверждает, что по стоимости эти устройства сравнимы с SSD на базе QLC NAND. Вместимость составляет 30,72 Тбайт. Таким образом, операторы дата-центров получат эффективное решение для построения массивов хранения большой ёмкости. Заявленная скорость последовательного чтения данных достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,0 Гбайт/с. Показатель IOPS при произвольных чтении и записи информации блоками по 4 Кбайт — до 1 млн и 200 тыс. соответственно. Накопители могут выдерживать до одной полной перезаписи в сутки (показатель DWPD). Предусмотрены два варианта исполнения: SFF U.3 толщиной 15 мм и E1.L толщиной 9,5 мм. ![]() Источник изображений: Micron ![]() Решения Micron XTR, в свою очередь, используют чипы памяти Micron 176L SLC. SSD доступны в формате SFF U.3 толщиной 15 мм. Вместимость составляет 960 Гбайт и 1,92 Тбайт. Скорость последовательного чтения в обоих случаях достигает 6,8 Гбайт/с, скорость последовательной записи — 5,3 и 5,6 Гбайт/с соответственно. Величина IOPS при чтении — до 900 тыс., при записи — до 250 тыс. и 350 тыс. Эти накопители обеспечивают высочайшую надёжность: значение DWPD равно 60 при последовательной записи и 35 при произвольной записи.
24.03.2023 [20:28], Алексей Степин
Kioxia анонсировала серверные SSD на базе XL-FLASH второго поколенияПо мере внедрения новых версий PCI Express растут и линейные скорости SSD. Не столь давно 3-4 Гбайт/с было рекордно высоким показателем, но разработчики уже штурмуют вершины за пределами 10 Гбайт/с. Компания Kioxia, крупный производитель флеш-памяти и устройств на её основе, объявила на конференции 2023 China Flash Market о новом поколении серверных накопителей, способных читать данные со скоростью 13,5 Гбайт/с. Новые высокоскоростные SSD будут построены на базе технологии XL-FLASH второго поколения. Первое поколение этих чипов компания (тогда Toshiba) представила ещё в 2019 году. В основе лежат наработки по BiCS 3D в однобитовом варианте, что позволяет устройствам на базе этой памяти занимать нишу Storage Class Memory (SCM) и служить заменой ушедшей с рынка технологии Intel Optane. Как уже сообщалось ранее, XL-FLASH второго поколения использует двухбитовый режим MLC, но в любом случае новые SSD Kioxia в полной мере раскроют потенциал PCI Express 5.0. Они не только смогут читать данные на скорости 13,5 Гбайт/с и записывать их на скорости 9,7 Гбайт/с, но и обеспечат высокую производительность на случайных операциях: до 3 млн IOPS при чтении и 1,06 млн IOPS при записи. Время отклика для операций чтения заявлено на уровне 27 мкс, против 29 мкс у XL-FLASH первого поколения. Kioxia полагает, что PCI Express 5.0 и CXL 1.x станут стандартами для серверных флеш-платформ класса SCM надолго — господство этих интерфейсов продлится минимум до конца 2025 года, лишь в 2026 году следует ожидать появления первых решений с поддержкой PCI Express 6.0. Активный переход на более новую версию CXL ожидается в течение 2025 года. Пока неизвестно, как планирует ответить на активность Kioxia другой крупный производитель флеш-памяти, Samsung Electronics, которая также располагает высокопроизводительной разновидностью NAND под названием Z-NAND. |
|